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第1题
晶体三极管工作在放大状态的条件是（）。
A.
发射极反偏，集电极正偏
B.
发射极反偏，集电极反偏
C.
发射极正偏，集电极正偏
D.
发射极正偏，集电极反偏
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第2题
三极管工作于放大状态的条件是（）。
A.
发射结正偏，集电结反偏
B.
发射结正偏，集电结正偏
C.
发射结反偏，集电结正偏
D.
发射结反偏，集电结反偏
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第3题
通常晶体管的输出特性曲线区分为（）区。
A.
非饱和区
B.
饱和区
C.
截止区
D.
放大区
E.
线性区
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第4题
通常晶体管的输出特性曲线区分为（）。
A.
非饱和区
B.
饱和区
C.
截止区
D.
放大区
E.
线性区
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第5题
晶体三极管处于放大状态的外部条件是发射结正偏，集电结反偏，且发射结正偏电压必须大于死区电压。
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第6题
晶体三极管处于放大状态的外部条件是发射结正偏，集电结反偏，且发射结正偏电压必须大于死区电压。
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第7题
晶体三极管处于放大状态的外部条件是发射结正偏，集电结反偏，且发射结正偏电压必须大于死区电压。
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第8题
晶体三极管处于放大状态的外部条件是发射结正偏，集电结反偏，且发射结正偏电压必须大于死区电压。
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第9题
晶体三极管处于放大状态的外部条件是发射结正偏，集电结反偏，且发射结正偏电压必须大于死区电压。
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第10题
三极晶体管的特性曲线是用来表示该晶体管各极（）之间相互关系的，它反映晶体管的性能，是分析放大电路的重要依据。
A.
电压和电流
B.
电压和电阻
C.
电流和电阻
D.
电压和电感
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第11题
三极晶体管的特性曲线是用来表示该晶体管各极（）之间相互关系的，它反映晶体管的性能，是分析放大电路的重要依据。
A.
电压和电流
B.
电压和电阻
C.
电流和电阻
D.
电压和电感
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第12题
三极晶体管的特性曲线是用来表示该晶体管各极电压和电流之间相互关系的，它反映晶体管的性能，是分析放大电路的重要依据。
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第13题
NPN型三极管处于放大状态时，各极电位的关系是（）。
A.
Uc>Ub>Ue
B.
Uc<Ub<Ue
C.
Uc>Ue>Ub
D.
Uc=Ub=Ue
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第14题
NPN型三极管处于放大状态时，各极电位的关系是（）。
A.
Uc>Ub>Ue
B.
Uc<Ub<Ue
C.
Uc>Ue>Ub
D.
Uc=Ub=Ue
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第15题
NPN型三极管处于放大状态时，各极电位的关系是（）。
A.
Uc>Ub>Ue
B.
Uc<Ub<Ue
C.
Uc>Ue>Ub
D.
Uc=Ub=Ue
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第16题
NPN型三极管处于放大状态时，各极电位的关系是（）。
A.
Uc>Ub>Ue
B.
Uc<Ub<Ue
C.
Uc>Ue>Ub
D.
Uc=Ub=Ue
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第17题
NPN型三极管处于放大状态时，各极电位的关系是（）。
A.
Uc>Ub>Ue
B.
Uc<Ub<Ue
C.
Uc>Ue>Ub
D.
Uc=Ub=Ue
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第18题
利用半导体三极管的饱和区和截止区的工作状态可组成放大电路。
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第19题
由晶体管组成的共发射极、共基极、共集电极三种放大电路中，电压放大倍数最小的是（）。
A.
共发射极电路
B.
共集电极电路
C.
共基极电路
D.
三者差不多
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第20题
由晶体管组成的共发射极、共基极、共集电极三种放大电路中，电压放大倍数最小的是（）。
A.
共发射极电路
B.
共集电极电路
C.
共基极电路
D.
三者差不多
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第21题
由晶体管组成的共发射极、共基极、共集电极三种放大电路中，电压放大倍数最小的是（）。
A.
共发射极电路
B.
共集电极电路
C.
共基极电路
D.
三者差不多
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第22题
由晶体管组成的共发射极、共基极、共集电极三种放大电路中，电压放大倍数最小的是（）。
A.
共发射极电路
B.
共集电极电路
C.
共基极电路
D.
三者差不多
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第23题
由晶体管组成的共发射极、共基极、共集电极三种放大电路中，电压放大倍数最小的是（）。
A.
共发射极电路
B.
共集电极电路
C.
共基极电路
D.
三者差不多
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第24题
三极晶体管的特性曲线是用来表示该晶体管各极电压和电流之间相互关系的，它反映晶体管的性能，是分析放大电路的重要依据。
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第26题
CMOS集成逻辑门电路内部是以（）为基本元件构成的。
A.
二极管
B.
晶体管
C.
晶闸管
D.
场效应晶体管
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第27题
CMOS集成逻辑门电路内部是以（）为基本元件构成的。
A.
二极管
B.
晶体管
C.
晶闸管
D.
场效应晶体管
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第28题
CMOS集成逻辑门电路内部是以（）为基本元件构成的。
A.
二极管
B.
晶体管
C.
晶闸管
D.
场效应晶体管
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第29题
CMOS集成逻辑门电路内部是以（）为基本元件构成的。
A.
二极管
B.
晶体管
C.
晶闸管
D.
场效应晶体管
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第30题
CMOS集成逻辑门电路内部是以（）为基本元件构成的。
A.
二极管
B.
晶体管
C.
晶闸管
D.
场效应晶体管
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第31题
人体新陈代谢热总是不停地产生,而且与下列()项有关。
A.
人体所处状态
B.
人体的活动状况
C.
人体所处环境条件
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第32题
TTL集成逻辑门电路内部是以（）为基本元件构成的。
A.
二极管
B.
晶体管l
C.
晶闸管
D.
场效应晶体管
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第33题
TTL集成逻辑门电路内部是以（）为基本元件构成的。
A.
二极管
B.
晶体管l
C.
晶闸管
D.
场效应晶体管
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第34题
TTL集成逻辑门电路内部是以（）为基本元件构成的。
A.
二极管
B.
晶体管l
C.
晶闸管
D.
场效应晶体管
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第35题
TTL集成逻辑门电路内部是以（）为基本元件构成的。
A.
二极管
B.
晶体管l
C.
晶闸管
D.
场效应晶体管
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第36题
TTL集成逻辑门电路内部是以（）为基本元件构成的。
A.
二极管
B.
晶体管l
C.
晶闸管
D.
场效应晶体管
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第37题
晶体三极管的输出特性曲线区分为三个工作区，即（）。
A.
线性区
B.
放大区
C.
截止区
D.
饱和区
E.
非线性区
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第38题
晶体三极管输出特性分为三个区分别是（）。
A.
饱和区、截止区和开关区
B.
截止区饱和区和放大区
C.
开关区饱和区和导通区
D.
截止区开关区和放大区
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第39题
晶体三极管输出特性分为三个区分别是（）。
A.
饱和区、截止区和开关区
B.
截止区饱和区和放大区
C.
开关区饱和区和导通区
D.
截止区开关区和放大区
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第40题
晶体三极管输出特性分为三个区分别是（）。
A.
饱和区、截止区和开关区
B.
截止区饱和区和放大区
C.
开关区饱和区和导通区
D.
截止区开关区和放大区
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第41题
晶体三极管输出特性分为三个区分别是（）。
A.
饱和区、截止区和开关区
B.
截止区饱和区和放大区
C.
开关区饱和区和导通区
D.
截止区开关区和放大区
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第42题
晶体三极管输出特性分为三个区分别是（）。
A.
饱和区、截止区和开关区
B.
截止区饱和区和放大区
C.
开关区饱和区和导通区
D.
截止区开关区和放大区
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第43题
下列关于力的基本概念中，说法错误的有（）。
A.
物体受到两大小相等、向相反的力时就处于平衡状态
B.
力的合成只能有一种结果，力的分解也只能有一种结果
C.
作用在物体上的平面汇交力系，如果合力为零，则物体处于平衡状态
D.
力的三要素为力的大小、向、作用点
E.
作用力与反作用力总是大小相等，方向相反，沿同一直线分别作用在两个物体上
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第44题
电流截止负反馈的截止方法不仅可以用电压比较方法，而且可以在反馈回路中对接一个（）来实现。
A.
晶闸管
B.
三极管
C.
单晶
D.
稳压管
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第45题
(单选题/1分)火灾自动报警设备的"自检键"的功能()
A.
检查建筑物内的各种探头是否处于正常工作状态
B.
检查建筑物内的各种消防设备是否处于正常工作状态
C.
检查建筑物内的消防管线是否处于正常工作状态
D.
检查火灾报警控制器本身性能是否处于正常工作状态
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第46题
有关晶闸管作用的叙述中错误的是（）。
A.
晶闸管是一种大功率半导体器件，它可以实现以微小的电信号对大功率电能进行控制或交换
B.
晶闸管具有电流放大作用
C.
可以应用交、直流的调压、交流开关等
D.
可以应用于整流和逆变等
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第47题
有关晶闸管作用的叙述中错误的是（）。
A.
晶闸管是一种大功率半导体器件，它可以实现以微小的电信号对大功率电能进行控制或交换
B.
晶闸管具有电流放大作用
C.
可以应用交、直流的调压、交流开关等
D.
可以应用于整流和逆变等
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第48题
有关晶闸管作用的叙述中错误的是（）。
A.
晶闸管是一种大功率半导体器件，它可以实现以微小的电信号对大功率电能进行控制或交换
B.
晶闸管具有电流放大作用
C.
可以应用交、直流的调压、交流开关等
D.
可以应用于整流和逆变等
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第49题
有关晶闸管作用的叙述中错误的是（）。
A.
晶闸管是一种大功率半导体器件，它可以实现以微小的电信号对大功率电能进行控制或交换
B.
晶闸管具有电流放大作用
C.
可以应用交、直流的调压、交流开关等
D.
可以应用于整流和逆变等
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第50题
有关晶闸管作用的叙述中错误的是（）。
A.
晶闸管是一种大功率半导体器件，它可以实现以微小的电信号对大功率电能进行控制或交换
B.
晶闸管具有电流放大作用
C.
可以应用交、直流的调压、交流开关等
D.
可以应用于整流和逆变等
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搜题
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